砷化镓霍尔器件

霍尔器件系磁电转换器件，是半导体磁传感器中*成熟、产量*大的产品，而砷化镓霍尔器件更是其中的佼佼者。其原理是针对砷化镓《GaAs》材料的特点，应用高能量离子注入方法和新型工艺技术制造的霍尔器件。不但提高了器件的抗静电击穿能力、线性度和成品率，而且大幅降低了生产成本，使砷化镓霍尔器件在性价比及功能方面均优于传统的锑化铟和硅霍尔器件，是霍尔器件新一代替代产品。

从性能上看，GaAs霍尔器件有着InSb霍尔器件无法比拟的优势，具有温度特性优良、输出电压性好、输入阻抗高、底失衡率等到优点，特别更在温度系数和工作范围两项指标上，在优异应用时具有优良优势，达到******，有些关键指标<如器灵敏度>处于****地位。
高性能GaAs霍尔器件规模化生产的关键设备是高能量的大型离子注入机，通过对GaAs霍尔器件20多年的研究，在GaAs材料制备，器件设计和生产工艺，提高稳定性和可靠性等方面都拥有成熟的技术。特别是在国内**采用高能量离子注入方法，成功生产出高性能GaAs霍尔器件，技术指标优良。

长期稳定性是衡量元器件的重要参数之一，其好坏决定是否有实用价值。本产品通过了180℃～190℃度高温、13500小时的加速老化实验，器件完好无损，用化学动力学中阿尔赫尼斯议程可计算出，其失效率高达10-7～10-8以上。就国内外现有文献报道来看：公司生产的GaAs霍尔器件是唯壹进行过长时间可行性实验的产品。

通过长时间可行性实验得出的结论是：与半导体P-N结器件不同，GaAs霍尔器件是体效应器件，长时间高温老化或一定剂量的核辐射对器件灵敏度等性能的影响很小，具有很好的长期稳定性。